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AUIRFR540Z、IRFR540ZPBF、STD40NF10对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFR540Z IRFR540ZPBF STD40NF10

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 0.0225 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFR540ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 100 V, 28.5 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STD40NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 22.5 mΩ 0.0285 Ω 0.025 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 91 W 91 W 125 W

阈值电压 4 V 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 35A 35A 50A

上升时间 42 ns 42 ns 46 ns

输入电容(Ciss) 1690pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds) 2180pF @25V(Vds)

下降时间 34 ns 34 ns 13 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 91W (Tc) 91W (Tc) 125W (Tc)

通道数 - 1 1

额定功率(Max) - 91 W 125 W

额定功率 - 91 W -

长度 6.5 mm 6.73 mm 6.6 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.2 mm

高度 2.3 mm 2.39 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -