
针脚数 3
漏源极电阻 22.5 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 91 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 35A
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 1690pF @25VVds
下降时间 34 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 91W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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AUIRFR540Z | Infineon 英飞凌 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 0.0225 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: AUIRFR540Z 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-252-3 N-CH 100V 35A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 0.0225 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 | |
型号: IRFR540ZTRLPBF 品牌: 英飞凌 封装: TO-252-3 N-CH 100V 35A | 完全替代 | DPAK N-CH 100V 35A | AUIRFR540Z和IRFR540ZTRLPBF的区别 | |
型号: AUIRFR540ZTRR 品牌: 英飞凌 封装: TO-252-3 N-CH 100V 35A | 完全替代 | DPAK N-CH 100V 35A | AUIRFR540Z和AUIRFR540ZTRR的区别 | |
型号: IRFR540ZPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 100V 35A | 类似代替 | INFINEON IRFR540ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 100 V, 28.5 mohm, 10 V, 4 V | AUIRFR540Z和IRFR540ZPBF的区别 |