STB120N10F4、STH130N10F3-2、IXFA130N10T2对比区别
型号 STB120N10F4 STH130N10F3-2 IXFA130N10T2
描述 Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN沟道100 V, 7.8英里©典型值, 120一STripFETâ ?? ¢ III功率MOSFET采用TO- 220FP , I²PAKFP , H²PAK - 2和TO- 220封装 N-channel 100 V, 7.8 mΩ typ., 120 A STripFETâ¢III Power MOSFET in TO-220FP, I²PAKFP, H²PAK-2 and TO-220 packagesTO-263AA 100V 130A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - 3 -
通道数 - - 1
漏源极电阻 - 9.3 mΩ 9.1 mΩ
耗散功率 300W (Tc) 250 W 360W (Tc)
漏源极电压(Vds) - 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) - - 130A
输入电容(Ciss) - 3305pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 300W (Tc) 250W (Tc) 360W (Tc)
上升时间 - 38 ns -
下降时间 - 7.2 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS-conform RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -