
漏源极电阻 9.3 mΩ
耗散功率 250 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 3305pF @25VVds
下降时间 7.2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STH130N10F3-2 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道100 V, 7.8英里©典型值, 120一STripFETâ ?? ¢ III功率MOSFET采用TO- 220FP , I²PAKFP , H²PAK - 2和TO- 220封装 N-channel 100 V, 7.8 mΩ typ., 120 A STripFETâ¢III Power MOSFET in TO-220FP, I²PAKFP, H²PAK-2 and TO-220 packages | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: STH130N10F3-2 品牌: ST Microelectronics 意法半导体 封装: TO-252-3 | 当前型号 | N沟道100 V, 7.8英里©典型值, 120一STripFETâ ?? ¢ III功率MOSFET采用TO- 220FP , I²PAKFP , H²PAK - 2和TO- 220封装 N-channel 100 V, 7.8 mΩ typ., 120 A STripFETâ¢III Power MOSFET in TO-220FP, I²PAKFP, H²PAK-2 and TO-220 packages | 当前型号 | |
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