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STH130N10F3-2

STH130N10F3-2

数据手册.pdf

N沟道100 V, 7.8英里©典型值, 120一STripFETâ ?? ¢ III功率MOSFET采用TO- 220FP , I²PAKFP , H²PAK - 2和TO- 220封装 N-channel 100 V, 7.8 mΩ typ., 120 A STripFET™III Power MOSFET in TO-220FP, I²PAKFP, H²PAK-2 and TO-220 packages

N-Channel 100V 120A Tc 250W Tc Surface Mount H2Pak-2


得捷:
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2


贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 7.8 mOhm 120 A STripFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2


STH130N10F3-2中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 9.3 mΩ

耗散功率 250 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

上升时间 38 ns

输入电容Ciss 3305pF @25VVds

下降时间 7.2 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STH130N10F3-2引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STH130N10F3-2 ST Microelectronics 意法半导体 N沟道100 V, 7.8英里©典型值, 120一STripFETâ ?? ¢ III功率MOSFET采用TO- 220FP , I²PAKFP , H²PAK - 2和TO- 220封装 N-channel 100 V, 7.8 mΩ typ., 120 A STripFET™III Power MOSFET in TO-220FP, I²PAKFP, H²PAK-2 and TO-220 packages 搜索库存
替代型号STH130N10F3-2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STH130N10F3-2

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252-3

当前型号

N沟道100 V, 7.8英里©典型值, 120一STripFETâ ?? ¢ III功率MOSFET采用TO- 220FP , I²PAKFP , H²PAK - 2和TO- 220封装 N-channel 100 V, 7.8 mΩ typ., 120 A STripFET™III Power MOSFET in TO-220FP, I²PAKFP, H²PAK-2 and TO-220 packages

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品牌: 意法半导体

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