STB120N10F4中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 300W Tc
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS-conform
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
STB120N10F4引脚图与封装图
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在线购买STB120N10F4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB120N10F4 | ST Microelectronics 意法半导体 | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号STB120N10F4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STB120N10F4 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |
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