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NTE2381、VP2450N8-G、MTP2P50EG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTE2381 VP2450N8-G MTP2P50EG

描述 TO-220P-CH 500V 2AVP2450N8-G 编带ON SEMICONDUCTOR  MTP2P50EG  晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -500 V, 6 ohm, 10 V, -3 V

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Microchip (微芯) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 SOT-89-3 TO-220-3

漏源极电阻 6 Ω - 6 Ω

极性 P-Channel - P-Channel

耗散功率 75 W 1.6 W 75 W

阈值电压 4.5 V - -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 2.00 A - 2.00 A

上升时间 100 ns 25 ns 14 ns

下降时间 50 ns 25 ns 19 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 75000 mW 1.6W (Ta) 75W (Tc)

额定功率 - 1.6 W -

输入电容(Ciss) - 190pF @25V(Vds) 1183pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1.6 W 75 W

额定电压(DC) - - -500 V

额定电流 - - -2.00 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

输入电容 - - 1.18 nF

栅电荷 - - 27.0 nC

漏源击穿电压 - - 500 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 TO-220 SOT-89-3 TO-220-3

长度 - 4.6 mm 10.53 mm

宽度 - 2.6 mm 4.83 mm

高度 - 1.6 mm 15.75 mm

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

HTS代码 85412900951 - -