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VP2450N8-G

VP2450N8-G

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 分立器件

VP2450N8-G 编带

In addition to amplifying electronic signals, you"ll be able to switch between various lines with the power MOSFET, developed by Technology. Its maximum power dissipation is 1600 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

VP2450N8-G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.6 W

耗散功率 1.6 W

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 190pF @25VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

VP2450N8-G引脚图与封装图
VP2450N8-G引脚图

VP2450N8-G引脚图

VP2450N8-G封装图

VP2450N8-G封装图

VP2450N8-G封装焊盘图

VP2450N8-G封装焊盘图

在线购买VP2450N8-G
型号 制造商 描述 购买
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替代型号VP2450N8-G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VP2450N8-G

品牌: Microchip 微芯

封装: SOT89-3

当前型号

VP2450N8-G 编带

当前型号

型号: VP2450N8

品牌: 微芯

封装:

类似代替

SOT-89P-CH 500V 0.16A

VP2450N8-G和VP2450N8的区别

型号: NTE2381

品牌: NTE Electronics

封装: TO-220 P-Channel 500V 2A

功能相似

TO-220P-CH 500V 2A

VP2450N8-G和NTE2381的区别