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DTC143ZET1G、PDTC143ZE,115、DTC143ZETL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC143ZET1G PDTC143ZE,115 DTC143ZETL

描述 ON SEMICONDUCTOR  DTC143ZET1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 (Ratio), SOT-416 新NXP  PDTC143ZE,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 150 mW, 100 mA, 100 hFENPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-75-3 SC-75-3 SOT-416

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN N-Channel, NPN

耗散功率 0.3 W 150 mW 0.15 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 100 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 150 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) - 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 150 mW 150 mW

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

额定功率 200 mW - 0.15 W

增益带宽 - - 250 MHz

无卤素状态 Halogen Free - -

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

电源电压 50 V - -

长度 1.65 mm 1.8 mm -

宽度 0.9 mm 0.9 mm -

高度 0.8 mm 0.85 mm 0.7 mm

封装 SC-75-3 SC-75-3 SOT-416

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99