DTC143ZET1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 200 mW
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
电源电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
外形尺寸
长度 1.65 mm
宽度 0.9 mm
高度 0.8 mm
封装 SC-75-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
DTC143ZET1G引脚图与封装图 
DTC143ZET1G引脚图
DTC143ZET1G封装图
DTC143ZET1G封装焊盘图
在线购买DTC143ZET1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTC143ZET1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR DTC143ZET1G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Ratio, SOT-416 新 | 搜索库存 |
替代型号DTC143ZET1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTC143ZET1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-75 NPN 50V 100mA 300mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR DTC143ZET1G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Ratio, SOT-416 新 | 当前型号 |
| 型号： DTC143ZET1 品牌： 安森美 封装： SC-75 NPN 50V 100mA 300mW | 类似代替 | NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS | DTC143ZET1G和DTC143ZET1的区别 |
| 型号： DTC143ZETL 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-416 N-Channel 50V 100mA 150mW | 功能相似 | NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管 | DTC143ZET1G和DTC143ZETL的区别 |
| 型号： PDTC143TU,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-323 NPN 0.2W | 功能相似 | NXP PDTC143TU,115 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, SOT-323 | DTC143ZET1G和PDTC143TU,115的区别 |