DS1258W-100IND、DS1258Y-70、DS1258Y-100对比区别

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型号 DS1258W-100IND DS1258Y-70 DS1258Y-100

描述 IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIPIC NVSRAM 2Mbit 70NS 40EDIPIC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 40 40

封装 DMA DIP-40 DIP-40

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 - 70.0 GHz 100 GHz

存取时间 - 70 ns 100 ns

内存容量 - 2000000 B 2000000 B

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

封装 DMA DIP-40 DIP-40

长度 - 53.72 mm -

宽度 - 18.29 mm -

高度 - 8.13 mm -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead