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DS1258Y-70

DS1258Y-70

数据手册.pdf

IC NVSRAM 2Mbit 70NS 40EDIP

Memory IC 2Mb 128K x 16 Parallel 70ns


得捷:
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP


贸泽:
NVRAM


DS1258Y-70中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70 ns

内存容量 2000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 40

封装 DIP-40

外形尺寸

长度 53.72 mm

宽度 18.29 mm

高度 8.13 mm

封装 DIP-40

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

DS1258Y-70引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DS1258Y-70 Maxim Integrated 美信 IC NVSRAM 2Mbit 70NS 40EDIP 搜索库存
替代型号DS1258Y-70
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DS1258Y-70

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: DIP 2000000B 5V 70ns 40Pin

当前型号

IC NVSRAM 2Mbit 70NS 40EDIP

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型号: DS1258AB-100#

品牌: 美信

封装: DIP

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封装: DMA

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型号: DS1258W-100IND#

品牌: 美信

封装: DIP

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