FQA28N50F、STW28NM50N、FQA28N50对比区别

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型号 FQA28N50F STW28NM50N FQA28N50

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STW28NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-3-3

额定电压(DC) 500 V - 500 V

额定电流 28.4 A - 28.4 A

漏源极电阻 160 mΩ 0.135 Ω 160 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 310 W 150 W 310 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V - 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 28.4 A 21A 28.4 A

上升时间 290 ns 19 ns 290 ns

输入电容(Ciss) 5600pF @25V(Vds) 1735pF @25V(Vds) 5600pF @25V(Vds)

下降时间 175 ns 52 ns 175 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 310W (Tc) 150W (Tc) 310W (Tc)

额定功率(Max) 310 W 150 W -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 3 V -

长度 16.2 mm 15.75 mm 16.2 mm

宽度 5 mm 5.15 mm 5 mm

高度 20.1 mm 20.15 mm 20.1 mm

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99