SI4963DY、SI4963DY-E3、FDS9933BZ对比区别

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型号 SI4963DY SI4963DY-E3 FDS9933BZ

描述 双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETMOSFET 20V 6.2A 2W双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET ™ Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SO-8 SOIC-8

引脚数 8 - -

漏源极电阻 23.0 mΩ 33.0 mΩ -

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 2 W 2.00 W 1.6 W

栅源击穿电压 ±12.0 V ±12.0 V -

漏源击穿电压 20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) -6.20 A - 4.9A

上升时间 11 ns - 9.3 ns

下降时间 37 ns - 9.3 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

漏源极电压(Vds) - - 20 V

输入电容(Ciss) - - 985pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - - 900 mW

耗散功率(Max) - - 900 mW

封装 SO-8 SO-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.9 mm - 3.9 mm

高度 1.75 mm - 1.75 mm

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)