漏源极电阻 23.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids -6.20 A
上升时间 11 ns
下降时间 37 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SO-8
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI4963DY | Fairchild 飞兆/仙童 | 双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI4963DY 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SO P-Channel -6.2A 23mohms | 当前型号 | 双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 当前型号 | |
型号: FDS9933BZ 品牌: 飞兆/仙童 封装: 8-SOIC P-CH 20V 4.9A | 功能相似 | 双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET ™ Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET | SI4963DY和FDS9933BZ的区别 | |
型号: SI4963DY-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SO P-Channel 33mΩ | 功能相似 | MOSFET 20V 6.2A 2W | SI4963DY和SI4963DY-E3的区别 | |
型号: FDS6890A_NL 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-CH 20V 7.5A | 功能相似 | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | SI4963DY和FDS6890A_NL的区别 |