BSP16T1、BSP16T1G、SP16对比区别

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型号 BSP16T1 BSP16T1G SP16

描述 高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistors PNP SiliconON SEMICONDUCTOR  BSP16T1G  单晶体管 双极, PNP, -300 V, 15 MHz, 1.5 W, -100 mA, 30 hFE1A, 300V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-261-4 TO-261-4 -

引脚数 - 4 -

额定电压(DC) -300 V -300 V -

额定电流 -1.00 A -1.00 A -

极性 PNP PNP -

耗散功率 1.5 mW 1.5 W -

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V -

集电极最大允许电流 1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V -

额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

频率 - 15 MHz -

针脚数 - 4 -

增益频宽积 - 15 MHz -

直流电流增益(hFE) - 30 -

耗散功率(Max) - 1500 mW -

长度 6.5 mm 6.7 mm -

宽度 3.5 mm 3.7 mm -

高度 1.57 mm 1.57 mm -

封装 TO-261-4 TO-261-4 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

ECCN代码 - EAR99 -