锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
BSP16T1G

BSP16T1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  BSP16T1G  单晶体管 双极, PNP, -300 V, 15 MHz, 1.5 W, -100 mA, 30 hFE

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile PNP GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 300 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

BSP16T1G中文资料参数规格
技术参数

频率 15 MHz

额定电压DC -300 V

额定电流 -1.00 A

针脚数 4

极性 PNP

耗散功率 1.5 W

增益频宽积 15 MHz

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V

额定功率Max 1.5 W

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.57 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

BSP16T1G引脚图与封装图
BSP16T1G引脚图

BSP16T1G引脚图

BSP16T1G封装焊盘图

BSP16T1G封装焊盘图

在线购买BSP16T1G
型号 制造商 描述 购买
BSP16T1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BSP16T1G  单晶体管 双极, PNP, -300 V, 15 MHz, 1.5 W, -100 mA, 30 hFE 搜索库存
替代型号BSP16T1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BSP16T1G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOT-223 PNP -300V -1A 1500mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BSP16T1G  单晶体管 双极, PNP, -300 V, 15 MHz, 1.5 W, -100 mA, 30 hFE

当前型号

型号： BSP16T1

品牌： 安森美

封装： SOT-223 PNP -300V -1A

类似代替

高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistors PNP Silicon

BSP16T1G和BSP16T1的区别

型号： BSP16

品牌： 恩智浦

封装：

功能相似

PNP型高压晶体管 PNP high-voltage transistor

BSP16T1G和BSP16的区别

型号： BCP55-16TA

品牌： 美台

封装： SOT-223 NPN

功能相似

Trans GP BJT NPN 60V 1A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

BSP16T1G和BCP55-16TA的区别