IPI60R280C6XKSA1、SPI15N60C3、SPI15N60C3HKSA1对比区别

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型号 IPI60R280C6XKSA1 SPI15N60C3 SPI15N60C3HKSA1

描述 Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI60R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power TransistorTO-262 N-CH 600V 15A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3-1

额定电压(DC) - 650 V -

额定电流 - 15.0 A -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 280 mΩ -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 104 W 156 W 156W (Tc)

输入电容 - 1.66 nF -

栅电荷 - 63.0 nC -

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 650 V

漏源击穿电压 - 600 V -

连续漏极电流(Ids) 13.8A 15.0 A 15A

上升时间 - 5 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 950pF @100V(Vds) 1660pF @25V(Vds) 1660pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 156 W -

下降时间 - 5 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 104W (Tc) 156000 mW 156W (Tc)

额定功率 104 W - -

长度 10.36 mm 10.2 mm -

宽度 4.57 mm 4.5 mm -

高度 11.17 mm 9.45 mm -

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3-1

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -