SPI15N60C3
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Infineon
英飞凌
分立器件
SPI15N60C3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 650 V
额定电流 15.0 A
通道数 1
漏源极电阻 280 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 156 W
输入电容 1.66 nF
栅电荷 63.0 nC
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 15.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1660pF @25VVds
额定功率Max 156 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 156000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPI15N60C3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPI15N60C3 | Infineon 英飞凌 | 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor | 搜索库存 |
替代型号SPI15N60C3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPI15N60C3 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-262 N-CH 650V 15A 1.66nF | 当前型号 | 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor | 当前型号 |
| 型号： IPI60R280C6XKSA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 600V 13.8A | 类似代替 | Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI60R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装 | SPI15N60C3和IPI60R280C6XKSA1的区别 |
| 型号： SPI15N60C3HKSA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-262 N-CH 600V 15A | 功能相似 | TO-262 N-CH 600V 15A | SPI15N60C3和SPI15N60C3HKSA1的区别 |