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IPI60R280C6XKSA1

IPI60R280C6XKSA1

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI60R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


立创商城:
N沟道 600V 13.8A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3


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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI60R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装


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Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


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Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin TO-262 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


IPI60R280C6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 104 W

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 13.8A

输入电容Ciss 950pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 11.17 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPI60R280C6XKSA1引脚图与封装图
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在线购买IPI60R280C6XKSA1
型号 制造商 描述 购买
IPI60R280C6XKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI60R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装 搜索库存
替代型号IPI60R280C6XKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPI60R280C6XKSA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： REEL N-Channel 600V 13.8A

当前型号

Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI60R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装

当前型号

型号： IPI60R280C6

品牌： 英飞凌

封装： I2PAK-3 N-Channel 600V 13.8A

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