STB170NF04、STB80N20M5、IPB80N04S2L03ATMA1对比区别

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型号 STB170NF04 STB80N20M5 IPB80N04S2L03ATMA1

描述 N沟道 40V 80A200V,0.019Ω,65A,N沟道功率MOSFETD2PAK N-CH 40V 80A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

通道数 - - 1

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 300 W 190 W 300W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 200 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 80A 61A 80A

上升时间 57 ns 31 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 9000pF @25V(Vds) 4329pF @50V(Vds) 6000pF @25V(Vds)

下降时间 66 ns 176 ns 27 ns

耗散功率(Max) 300W (Tc) 190W (Tc) 300W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.019 Ω -

阈值电压 - 5 V -

额定功率(Max) - 190 W -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

长度 10.4 mm - 10 mm

宽度 9.35 mm - 9.25 mm

高度 4.6 mm - 4.4 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free