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MUN2234T1G、SMMUN2233LT1、PDTC124XE,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN2234T1G SMMUN2233LT1 PDTC124XE,115

描述 数字晶体管( BRT ) R1 = 22千欧, R2 = 47 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 47 kSOT-23 NPN 50V 100mASC-75 NPN 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-416-3

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V - 80 @5mA, 5V

额定功率(Max) 338 mW - 150 mW

额定电压(DC) 50.0 V - -

额定电流 100 mA - -

无卤素状态 Halogen Free - -

耗散功率 0.338 W - -

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 338 mW - -

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-416-3

长度 2.9 mm - -

宽度 1.5 mm - -

高度 1.09 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

ECCN代码 EAR99 - -