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MUN2234T1G

MUN2234T1G

数据手册.pdf

数字晶体管（ BRT ） R1 = 22千欧， R2 = 47 K· Digital Transistors BRT R1 = 22 k, R2 = 47 k

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 表面贴装型 SC-59


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R


Win Source:
Digital Transistors BRT R1 = 22 k, R2 = 47 k


MUN2234T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 0.338 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 338 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 338 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.09 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MUN2234T1G引脚图与封装图
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在线购买MUN2234T1G
型号 制造商 描述 购买
MUN2234T1G ON Semiconductor 安森美 数字晶体管（ BRT ） R1 = 22千欧， R2 = 47 K· Digital Transistors BRT R1 = 22 k, R2 = 47 k 搜索库存
替代型号MUN2234T1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MUN2234T1G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SC-59 NPN 50V 100mA 338mW

当前型号

数字晶体管（ BRT ） R1 = 22千欧， R2 = 47 K· Digital Transistors BRT R1 = 22 k, R2 = 47 k

当前型号

型号： MUN2234T1

品牌： 安森美

封装： SC-59 NPN 50V 100mA

完全替代

NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

MUN2234T1G和MUN2234T1的区别

型号： SMMUN2233LT1

品牌： 安森美

封装： SOT-23 NPN

类似代替

SOT-23 NPN 50V 100mA

MUN2234T1G和SMMUN2233LT1的区别

型号： PDTC124ET@215

品牌： 恩智浦

封装： TO-236 NPN

类似代替

PDTC124ET@215

MUN2234T1G和PDTC124ET@215的区别