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MMBT2907AT-7、MMBT2907AT-TP、MMBT2907AWT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2907AT-7 MMBT2907AT-TP MMBT2907AWT1G

描述 Trans GP BJT PNP 60V 0.6A Automotive 3Pin SOT-523 T/R双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 150W, 60V, 600mAON SEMICONDUCTOR  MMBT2907AWT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 150 mW, -600 mA, 50 hFE

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Micro Commercial Components (美微科) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-523-3 SOT-523-3 SC-70-3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -600 mA -600 mA -600 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 150 mW 150 mW 150 mW

增益频宽积 200 MHz - 200 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @10mA, 10V 100 @150mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 300 300 -

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW 150 mW

频率 - - 200 MHz

额定功率 - - 0.15 W

针脚数 - - 3

直流电流增益(hFE) - - 200

长度 1.6 mm - 2.2 mm

宽度 0.8 mm - 1.24 mm

高度 0.75 mm - 0.7 mm

封装 SOT-523-3 SOT-523-3 SC-70-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99