MMBT2907AWT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 200 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -600 mA
额定功率 0.15 W
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 150 mW
增益频宽积 200 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.7 mm
封装 SC-70-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBT2907AWT1G引脚图与封装图 
MMBT2907AWT1G引脚图
MMBT2907AWT1G封装焊盘图
在线购买MMBT2907AWT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT2907AWT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2907AWT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 150 mW, -600 mA, 50 hFE | 搜索库存 |
替代型号MMBT2907AWT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT2907AWT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 PNP -60V -600mA 150mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2907AWT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 150 mW, -600 mA, 50 hFE | 当前型号 |
| 型号： MMBT2907AWT1 品牌： 安森美 封装： SOT-323 PNP -60V -600mA | 类似代替 | 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon | MMBT2907AWT1G和MMBT2907AWT1的区别 |
| 型号： MMST2907A-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-323 PNP 60V 600mA 200mW | 功能相似 | DIODES INC. MMST2907A-7-F 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 200 mW, -600 mA, 100 hFE | MMBT2907AWT1G和MMST2907A-7-F的区别 |
| 型号： PMBT2907A,215 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | PMBT2907A,215 编带 | MMBT2907AWT1G和PMBT2907A,215的区别 |