JAN2N3507、JAN2N3507A、2N3507对比区别

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型号 JAN2N3507 JAN2N3507A 2N3507

描述 TO-39 NPN 50V 3ATO-39 NPN 50V 3ANPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-205 TO-205 TO-39

引脚数 3 - 3

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 3A 3A -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @1.5A, 2V 30 @1.5A, 2V -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

耗散功率 1 W - 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW - 1000 mW

封装 TO-205 TO-205 TO-39

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99