JAN2N3507A
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N3507A中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 30 @1.5A, 2V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-205
外形尺寸
封装 TO-205
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JAN2N3507A引脚图与封装图
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在线购买JAN2N3507A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N3507A | Microsemi 美高森美 | TO-39 NPN 50V 3A | 搜索库存 |
替代型号JAN2N3507A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3507A 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 NPN | 当前型号 | TO-39 NPN 50V 3A | 当前型号 |
| 型号： JAN2N3507 品牌： 美高森美 封装： TO-205AD NPN 1000mW | 完全替代 | TO-39 NPN 50V 3A | JAN2N3507A和JAN2N3507的区别 |
| 型号： 2N3507A 品牌： 美高森美 封装： TO-39 1000mW | 类似代替 | NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N3507A和2N3507A的区别 |
| 型号： 2N3507 品牌： 美高森美 封装： TO-39 1000mW | 类似代替 | NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N3507A和2N3507的区别 |
