IPD090N03LGATMA1、IPD105N03LG、IPD09N03LB G对比区别

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型号 IPD090N03LGATMA1 IPD105N03LG IPD09N03LB G

描述 INFINEON  IPD090N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V30V,35A,N沟道功率MOSFETTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3Pin(2+Tab) DPAK

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 42 W 38.0 W 58W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 1600pF @15V(Vds) 1500pF @15V(Vds) 1600pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 38 W -

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 50.0 A

输入电容 - - 1.60 nF

栅电荷 - - 13.0 nC

连续漏极电流(Ids) 40A - 50.0 A

耗散功率(Max) 42W (Tc) - 58W (Tc)

额定功率 42 W - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0075 Ω - -

阈值电压 2.2 V - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

宽度 6.22 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)