IPD09N03LB G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD09N03LB G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 50.0 A
耗散功率 58W Tc
输入电容 1.60 nF
栅电荷 13.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
输入电容Ciss 1600pF @15VVds
耗散功率Max 58W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPD09N03LB G引脚图与封装图
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在线购买IPD09N03LB G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD09N03LB G | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3Pin2+Tab DPAK | 搜索库存 |
替代型号IPD09N03LB G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD09N03LB G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252 30V 50A 1.6nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3Pin2+Tab DPAK | 当前型号 |
| 型号： IPD090N03LGATMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-252 N-Channel 30V 40A | 类似代替 | INFINEON IPD090N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V | IPD09N03LB G和IPD090N03LGATMA1的区别 |