IPD105N03LG
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPD105N03LG中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 38.0 W
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 1500pF @15VVds
额定功率Max 38 W
封装参数
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IPD105N03LG引脚图与封装图
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在线购买IPD105N03LG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD105N03LG | Infineon 英飞凌 | 30V,35A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号IPD105N03LG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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