FQD1N80TF、FQD1N80TM对比区别

高亮显示差异参数

型号 FQD1N80TF FQD1N80TM

描述 Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD1N80TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管中高压MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 800 V 800 V

额定电流 1.00 A 1.00 A

针脚数 - 3

漏源极电阻 15.5 Ω 15.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta), 45W (Tc) 45 W

阈值电压 - 5 V

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V

漏源击穿电压 800 V 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.00 A 1.00 mA

上升时间 - 25 ns

输入电容(Ciss) 195pF @25V(Vds) 195pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W

下降时间 - 25 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)

长度 - 6.6 mm

宽度 - 6.1 mm

高度 - 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99