FQD1N80TF
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD1N80TF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 1.00 A
漏源极电阻 15.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 45W Tc
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.00 A
输入电容Ciss 195pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 45W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD1N80TF引脚图与封装图
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在线购买FQD1N80TF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD1N80TF | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQD1N80TF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD1N80TF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 800V 1A 15.5ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： FQD1N80TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 800V 1mA 20ohms | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD1N80TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V | FQD1N80TF和FQD1N80TM的区别 |