TLE2062CDR、TLE2062ID、TLE2062AID对比区别
型号 TLE2062CDR TLE2062ID TLE2062AID
描述 TEXAS INSTRUMENTS TLE2062CDR 芯片, 运算放大器, JFET, 2MHZ, 2路, 8SOICJFET 输入运算放大器，Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比，Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器，与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比，带宽加倍，但功耗无显著增加；此外，它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比，TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍，转换速率是其三倍，且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器，Texas InstrumentsJFET 输入运算放大器，Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比，Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器，与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比，带宽加倍，但功耗无显著增加；此外，它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比，TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍，转换速率是其三倍，且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器，Texas Instruments
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
电源电压(DC) - 18.0 V 36.0 V
输出电流 ≤80 mA ≤80 mA ≤80 mA
供电电流 625 µA 625 µA 625 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
针脚数 8 8 8
共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB
输入补偿漂移 6.00 µV/K 6.00 µV/K 6.00 µV/K
带宽 1.8 MHz 1.8 MHz 2 MHz
转换速率 3.40 V/μs 3.40 V/μs 3.40 V/μs
增益频宽积 1.8 MHz 1.8 MHz 1.8 MHz
输入补偿电压 900 µV 5 mV 800 µV
输入偏置电流 4 pA 4 pA 4 pA
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃
增益带宽 2 MHz 2 MHz 2 MHz
共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB
电源电压(Max) - 18 V -
电源电压 - - 3.5V ~ 18V
长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm
宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm
高度 1.5 mm 1.58 mm 1.58 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
香港进出口证 - - NLR