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MMBF5459、MMBFJ310LT1G、MMBFJ310LT3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBF5459 MMBFJ310LT1G MMBFJ310LT3G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF5459.…  场效应管, JFET, N沟道, -25V, SOT-23ON SEMICONDUCTOR  MMBFJ310LT1G  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 24 mA, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, JFETN 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 25.0 V

额定电流 16.0 mA 60 mA 10.0 mA

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

击穿电压 -25.0 V 25.0 V -25.0 V

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 350 mW 225 mW 225 mW

漏源极电压(Vds) 25.0 V 25 V 25 V

漏源击穿电压 - 25 V -

栅源击穿电压 25.0 V 25 V 25.0 V

增益 - 12 dB 12 dB

测试电流 - 10 mA 10 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 225 mW -

额定电压 - 25 V 25 V

输入电容 - - 5.00 pF

击穿电压 25 V - 25 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 mA - -

输入电容(Ciss) 7pF @15V(Vds) - -

额定功率(Max) 350 mW - -

长度 2.92 mm 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 0.93 mm 0.94 mm 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99