KSE210STU、MJE210T、MJE210STU对比区别

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型号 KSE210STU MJE210T MJE210STU

描述 Trans GP BJT PNP 25V 5A 3Pin(3+Tab) TO-126 Rail互补硅功率晶体管塑料 Complementary Silicon Power Plastic TransistorsPower PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 65 MHz - 65 MHz

额定电压(DC) -25.0 V -25.0 V -25.0 V

额定电流 -5.00 A -5.00 A -5.00 A

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 15 W - 15 W

增益频宽积 65 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 40 V 25 V

集电极最大允许电流 5A 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 45 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 180 - 180

额定功率(Max) 15 W 15 W 15 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 15000 mW - 15000 mW

长度 8 mm - 8 mm

宽度 3.25 mm - 3.25 mm

高度 11.2 mm - 11 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99