MBD701、MBD701G、5082-2810#T25对比区别

高亮显示差异参数

型号 MBD701 MBD701G 5082-2810#T25

描述 硅热载流子二极管肖特基势垒二极管 Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes硅热载流子二极管肖特基势垒二极管 Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier DiodesRectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.035A, 20V V(RRM),

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Agilent (安捷伦)

分类 RF二极管RF二极管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-226-2 TO-226-2 -

引脚数 - 2 -

额定电压(DC) 70.0 V 70.0 V -

额定电流 100 mA 10.0 A -

电容 1.00 pF 1.00 pF -

输出电流 ≤100 mA ≤100 mA -

极性 Standard Standard -

耗散功率 280 mW 280 mW -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 280 mW 280 mW -

正向电压 - 1.00 V -

长度 5.21 mm 5.21 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

封装 TO-226-2 TO-226-2 -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ (TJ) -55℃ ~ 125℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -