MBD701中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 70.0 V
额定电流 100 mA
电容 1.00 pF
输出电流 ≤100 mA
极性 Standard
耗散功率 280 mW
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 280 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-2
外形尺寸
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MBD701引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MBD701
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MBD701 | ON Semiconductor 安森美 | 硅热载流子二极管肖特基势垒二极管 Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes | 搜索库存 |
替代型号MBD701
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBD701 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： | 当前型号 | 硅热载流子二极管肖特基势垒二极管 Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes | 当前型号 |
| 型号： MBD701G 品牌： 安森美 封装： | 类似代替 | 硅热载流子二极管肖特基势垒二极管 Silicon Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes | MBD701和MBD701G的区别 |