VNS14NV04、VNS1NV04TR-E对比区别

高亮显示差异参数

型号 VNS14NV04 VNS1NV04TR-E

描述 OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET门驱动器 N-Ch 40V 1.7A Omni

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管开关电源

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

安装方式 Surface Mount -

输出接口数 1 1

漏源极电阻 35.0 mΩ 250 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 4.60 W 8.30 W

漏源击穿电压 40.0 V 40.0 V

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 1.70 A

输出电流(Max) 12 A 1.7 A

通道数 1 -

输入数 1 -

耗散功率(Max) 74000 mW -

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99