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VNS14NV04

OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Description

The VNB14NV04, VND14NV04, VND14NV04-1 and are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower™ M0 technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and

overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

■ Linear current limitation

■ Thermal shutdown

■ Short circuit protection

■ Integrated clamp

■ Low current drawn from input pin

■ Diagnostic feedback through input pin

■ ESD protection

■ Direct access to the gate of the Power MOSFET analog driving

■ Compatible with standard Power MOSFET

VNS14NV04中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

通道数 1

漏源极电阻 35.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 4.60 W

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

输出电流Max 12 A

输入数 1

耗散功率Max 74000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

VNS14NV04引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
VNS14NV04 ST Microelectronics 意法半导体 OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 搜索库存
替代型号VNS14NV04
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VNS14NV04

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: 8-SOIC N-Channel 12A 35mohms

当前型号

OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

当前型号

型号: VNS1NV04TR-E

品牌: 意法半导体

封装:

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