VNS1NV04TR-E中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
漏源极电阻 250 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 8.30 W
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 1.70 A
输出电流Max 1.7 A
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
VNS1NV04TR-E引脚图与封装图
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在线购买VNS1NV04TR-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VNS1NV04TR-E | ST Microelectronics 意法半导体 | 门驱动器 N-Ch 40V 1.7A Omni | 搜索库存 |
替代型号VNS1NV04TR-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VNS1NV04TR-E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： | 当前型号 | 门驱动器 N-Ch 40V 1.7A Omni | 当前型号 |
| 型号： VNS1NV04PTR-E 品牌： 意法半导体 封装： | 类似代替 | VNS1NV04P 系列 3.5 A 250 mOhm 完全自动保护功率 MOSFET - SOIC-8 | VNS1NV04TR-E和VNS1NV04PTR-E的区别 |
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