FQI7N60、STB6NK60Z-1、STB10NK60Z-1对比区别
型号 FQI7N60 STB6NK60Z-1 STB10NK60Z-1
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETN沟道600 V - 1ヘ - 6 A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 1 ヘ - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFETN沟道600V - 0.65OHM - 10A - I2 / D2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247齐纳保护超网TM功率MOSFET N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
封装 I2PAK TO-262-3 TO-262-3
引脚数 - 3 -
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 10.0 A
漏源极电阻 - - 750 mΩ
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 - 110W (Tc) 115 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 7.4A - 10.0 A
上升时间 - 14 ns 20 ns
输入电容(Ciss) - 905pF @25V(Vds) 1370pF @25V(Vds)
下降时间 - 19 ns 30 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 115W (Tc)
输入电容 - 905 pF -
额定功率(Max) - 110 W -
长度 - - 10 mm
宽度 - - 4.4 mm
高度 - - 8.95 mm
封装 I2PAK TO-262-3 TO-262-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free