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FQI7N60
Fairchild 飞兆/仙童 电子元器件分类
FQI7N60中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 7.4A

封装参数

封装 I2PAK

外形尺寸

封装 I2PAK

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FQI7N60引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FQI7N60 Fairchild 飞兆/仙童 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET 搜索库存
替代型号FQI7N60
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FQI7N60

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装:

当前型号

600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

当前型号

型号: STI13NM60N

品牌: 意法半导体

封装: TO-262 N-Channel 600V 11A

功能相似

STMICROELECTRONICS  STI13NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V

FQI7N60和STI13NM60N的区别

型号: STB6NK60Z-1

品牌: 意法半导体

封装: I2PAK

功能相似

N沟道600 V - 1ヘ - 6 A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 1 ヘ - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

FQI7N60和STB6NK60Z-1的区别

型号: IRF830ALPBF

品牌: Vishay Siliconix

封装: TO-262-3

功能相似

MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3

FQI7N60和IRF830ALPBF的区别