STB10NK60Z-1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 10.0 A
漏源极电阻 750 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 115 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 1370pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 8.95 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STB10NK60Z-1引脚图与封装图
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在线购买STB10NK60Z-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB10NK60Z-1 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道600V - 0.65OHM - 10A - I2 / D2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247齐纳保护超网TM功率MOSFET N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STB10NK60Z-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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