TLE2021CD、TLE2021MDG4、MC33171DR2G对比区别
型号 TLE2021CD TLE2021MDG4 MC33171DR2G
描述 Excalibur TLE 系列神剑高速低功耗精密运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED LOW-POWER PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERSMC33171/2/4，MCV33172，低功率，单电源 3 V 至 44 V，运算放大器，ON SemiconductorMC33171（单路），MC33172（双路），MC33174（四路） 低电源电流：每个放大器 180 μA 宽带宽：1.8 MHz 高转换速率：2.1 V/μs 低输入偏置电压：2 mV NCV33172 适用于汽车应用；符合 AEC-Q100 ### 运算放大器，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
供电电流 240 µA 200 µA 220 µA
电路数 1 1 1
通道数 1 1 -
耗散功率 725 mW 0.725 W -
共模抑制比 85 dB 85 dB 90 dB
输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K -
转换速率 500 mV/μs 500 mV/μs 2.10 V/μs
增益频宽积 1.2 MHz 2 MHz 1.8 MHz
输入补偿电压 150 µV 120 µV 2 mV
输入偏置电流 25 nA 25 nA 20 nA
增益带宽 2 MHz 1.2 MHz 1.8 MHz
耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -
共模抑制比(Min) 85 dB 85 dB 80 dB
无卤素状态 - - Halogen Free
输出电流 ≤20 mA - 5 mA
针脚数 8 - 8
带宽 1.2 MHz - 1.8 MHz
工作温度(Max) 125 ℃ - 85 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -40 ℃
电源电压 - - 3V ~ 44V
电源电压(DC) 40.0 V - -
工作电压 4V ~ 40V - -
电源电压(Max) 40 V - -
电源电压(Min) 4 V - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 4.9 mm - 5 mm
宽度 3.91 mm - 4 mm
高度 1.58 mm - 1.5 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃ -55℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - - EAR99