IXFH70N15、STP75NF75、STW20NM60对比区别
型号 IXFH70N15 STP75NF75 STW20NM60
描述 TO-247AD N-CH 150V 70AN 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STW20NM60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-247-3
引脚数 - 3 3
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 300W (Tc) 300 W 192 W
漏源极电压(Vds) 150 V 75 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 70A 80.0 A 20.0 A
输入电容(Ciss) 3600pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 1500pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 192W (Tc)
额定电压(DC) - 75.0 V 650 V
额定电流 - 80.0 A 20.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.0095 Ω 0.25 Ω
阈值电压 - 3 V 4 V
漏源击穿电压 - 75.0 V 600 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±30.0 V
上升时间 - 25.0 ns 20 ns
额定功率(Max) - 300 W 192 W
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃
工作结温(Max) - 175 ℃ -
下降时间 - - 11 ns
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-247-3
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 9.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -