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STD60N55F3、BUK7210-55B,118、IRFR1010ZPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD60N55F3 BUK7210-55B,118 IRFR1010ZPBF

描述 N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsDPAK N-CH 55V 89.6AN沟道 55V 42A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 42.0 A

漏源极电阻 - - 7.5 mΩ

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 110 W 167 W 140 W

产品系列 - - IRFR1010Z

输入电容 2200 pF - 2840pF @25V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 - - 55 V

连续漏极电流(Ids) 80A 89.6A 42.0 A

上升时间 50 ns 91 ns 76.0 ns

输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 2453pF @25V(Vds) 2840pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 167 W 140 W

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

下降时间 11.5 ns 45 ns -

耗散功率(Max) 110W (Tc) 167W (Tc) -

通道数 - 1 -

长度 6.6 mm - 6.73 mm

高度 2.4 mm - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

宽度 6.2 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 185℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - -