锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRFR1010ZPBF

IRFR1010ZPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

N沟道 55V 42A

**N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon**

The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


得捷:
IRFR1010 - 12V-300V N-CHANNEL PO


立创商城:
N沟道 55V 42A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDSON 5.8Milliohms; ID 42A; D-Pak TO-252AA; -55deg


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 91A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK


IRFR1010ZPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 42.0 A

漏源极电阻 7.5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 140 W

产品系列 IRFR1010Z

输入电容 2840pF @25V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 42.0 A

上升时间 76.0 ns

输入电容Ciss 2840pF @25VVds

额定功率Max 140 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRFR1010ZPBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRFR1010ZPBF
型号 制造商 描述 购买
IRFR1010ZPBF International Rectifier 国际整流器 N沟道 55V 42A 搜索库存