BUK7210-55B,118
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NXP
恩智浦
分立器件
BUK7210-55B,118中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 167 W
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 89.6A
上升时间 91 ns
输入电容Ciss 2453pF @25VVds
额定功率Max 167 W
下降时间 45 ns
耗散功率Max 167W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 185℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BUK7210-55B,118引脚图与封装图
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在线购买BUK7210-55B,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUK7210-55B,118 | NXP 恩智浦 | DPAK N-CH 55V 89.6A | 搜索库存 |
替代型号BUK7210-55B,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUK7210-55B,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT428 N-CH 55V 89.6A | 当前型号 | DPAK N-CH 55V 89.6A | 当前型号 |
| 型号： STD60N55F3 品牌： 意法半导体 封装： TO-252-3 N-CH 55V 80A | 功能相似 | N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | BUK7210-55B,118和STD60N55F3的区别 |