APT6010JFLL、APT6010JLL、STE40NC60对比区别
型号 APT6010JFLL APT6010JLL STE40NC60
描述 功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Screw Screw
引脚数 4 - 4
封装 SOT-227 SOT-227 ISOTOP
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 47.0 A 47.0 A 40.0 A
额定功率 - - 460 W
漏源极电阻 - - 130 mΩ
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 520 W - 460 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 47.0 A 47.0 A 40.0 A
上升时间 17 ns - 42 ns
输入电容(Ciss) 6710pF @25V(Vds) - 11100pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 460 W
下降时间 10 ns - 26 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 520000 mW - 460W (Tc)
输入电容 6.71 nF 6.71 nF -
栅电荷 150 nC 150 nC -
长度 - - 38.2 mm
宽度 - - 25.5 mm
高度 - - 9.1 mm
封装 SOT-227 SOT-227 ISOTOP
工作温度 - - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube, Rail Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free