APT6010JLL
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT6010JLL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 47.0 A
极性 N-CH
输入电容 6.71 nF
栅电荷 150 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 47.0 A
封装参数
安装方式 Screw
封装 SOT-227
外形尺寸
封装 SOT-227
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube, Rail
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT6010JLL引脚图与封装图
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在线购买APT6010JLL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT6010JLL | Microsemi 美高森美 | 功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. | 搜索库存 |
替代型号APT6010JLL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT6010JLL 品牌： Microsemi 美高森美 封装： SOT-227 N-CH 600V 47A 6.71nF | 当前型号 | 功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. | 当前型号 |
| 型号： APT6010JFLL 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 600V 47A 6.71nF | 完全替代 | 功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. | APT6010JLL和APT6010JFLL的区别 |