APT6010JFLL
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT6010JFLL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 47.0 A
耗散功率 520 W
输入电容 6.71 nF
栅电荷 150 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 47.0 A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 6710pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227
外形尺寸
封装 SOT-227
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT6010JFLL引脚图与封装图
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在线购买APT6010JFLL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT6010JFLL | Microsemi 美高森美 | 功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. | 搜索库存 |
替代型号APT6010JFLL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT6010JFLL 品牌： Microsemi 美高森美 封装： SOT-227 600V 47A 6.71nF | 当前型号 | 功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. | 当前型号 |
| 型号： APT6010JLL 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 N-CH 600V 47A 6.71nF | 完全替代 | 功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. | APT6010JFLL和APT6010JLL的区别 |
| 型号： STE40NC60 品牌： 意法半导体 封装： ISOTOP N-Channel 600V 40A 130mΩ | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | APT6010JFLL和STE40NC60的区别 |